使用人工钻石制程之砂轮(Wheel)，于Wafer晶背以研削方式移除硅层，经粗磨&细磨两个阶段将Wafer厚度研磨减薄至客户需求厚度；

针对研磨厚度<120um需求产品增加精磨，即抛光工艺，以取得更好的加工面粗糙度，消除残余应力提升强度。

高阶工艺节点晶圆制造中隔离metal层的Low-k绝缘膜，因其机械强度低，若使用普通的切割刀进行切割加工，会发生Low-k膜剥落及侧面隐裂的风险。这类产品，需要执行Laser Grooving (激光开槽)的方式去除Low-k膜以及相应的Metal层，保证后续切割刀切割品质；

晶圆制造中切割道Metal层中布有Cu层，因其延展性强，易造成切割刀包覆，影响切割品质。这类产品，需要执行Laser Grooving的方式去除Cu层，保证后续切割刀切割品质。

使用人工钻石制程之切割刀，以高速切削之方式将晶圆依客户所需Die size切割成单颗晶粒，便于后续取Die进行后制程；

切割一般分为单刀切割及双刀切割；相对于单刀切割，双刀切割第一刀切透切割道Metal层的方式，将改善切割道材料对刀片的影响，从而提升切割品质，所以双刀切割为目前主流切割模式。

无尘车间等级：Class10，产能：100KKea/M

将切割完成的晶圆UV后，依客户需求以顶针将Tape与Die顶起分离，再由吸嘴以真空吸附方式将Die取出，并置放于全新空Tape进行承载；

RW通过Ink & mapping两种模式结合，将测试良品筛选挑出；

RW机台对每颗IC挑前挑后位置记录，保证了产品的可追溯性；

全良品出货的模式，保证了后制程的兼容性。

将挑出的Die，通过AOI全自动检验设备，分为外观良品及不良品；

AOI完成后生成AOI map，将良品不良品标示为不同Bin code；挑拣设备使用该AOI map，将不良品筛选出来，产生最终良品部分待出货；

晶圆外观检验能力 0.5um。